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FMMT619	文件：307.8 Kbytes Page：4 Pages	SOT23NPNSILICONPOWER Features •BVCEO>15V •IC=3AhighContinuousCollectorCurrent •ICM=12APeakPulseCurrent •RCE(sat)=50mΩforalowequivalentOn-Resistance •625mWPowerdissipation •hFEspecifiedupto12Aforhighcurrentgainholdup •ComplementaryPNPType:FMMT717 •TotallyLead-Free&am	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT619	文件：308.81 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT3A 12APeakPulseCurrent ExcellentHFECharacteristicsUpTo12A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.8mVTyp. ExtremelyLowEquivalentOnResistance;RCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT619	文件：1.06024 Mbytes Page：4 Pages	NPNTransistors ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=2A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=50V ●ComplementarytoFMMT720	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMT619QTA	文件：162.19 Kbytes Page：7 Pages	50VNPNSILICONLOWSATURATIONTRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>50V •IC=2AContinuousCollectorCurrent •625mWpowerdissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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详细参数

型号：
AD619BRT
制造商：
Analog Devices
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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