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FMMT619QTA分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

FMMT619QTA
厂商型号

FMMT619QTA

参数属性

FMMT619QTA 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

功能描述

50V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

162.19 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
DIODES
数据手册

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更新时间

2025-8-1 18:33:00

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FMMT619QTA规格书详情

特性 Features

• BVCEO > 50V

• IC = 2A Continuous Collector Current

• 625mW power dissipation

• Low Saturation Voltage VCE(sat) < 200mV @ 1A

• RCE(SAT) = 68mΩ for a low equivalent on-resistance

• hFE characterised up to 6A for high current gain hold-up

• Complementary PNP type: FMMT720

• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP capable (Note 4)

Applications

• MOSFET Gate Driving

• DC-DC / DC-AC Converters

• Regulator

• LED driver

• Motor Control

产品属性

  • 产品编号:

    FMMT619QTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    220mV @ 50mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 200mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    165MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

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