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FMMT619QTA分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
FMMT619QTA |
参数属性 | FMMT619QTA 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T\u0026R |
功能描述 | 50V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
162.19 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | Diodes Incorporated |
企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
中文名称 | 美台半导体官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-1 18:33:00 |
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FMMT619QTA规格书详情
特性 Features
• BVCEO > 50V
• IC = 2A Continuous Collector Current
• 625mW power dissipation
• Low Saturation Voltage VCE(sat) < 200mV @ 1A
• RCE(SAT) = 68mΩ for a low equivalent on-resistance
• hFE characterised up to 6A for high current gain hold-up
• Complementary PNP type: FMMT720
• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP capable (Note 4)
Applications
• MOSFET Gate Driving
• DC-DC / DC-AC Converters
• Regulator
• LED driver
• Motor Control
产品属性
- 产品编号:
FMMT619QTA
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
220mV @ 50mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
300 @ 200mA,2V
- 频率 - 跃迁:
165MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 描述:
SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T\u0026R
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
21+ |
SOT23 |
8080 |
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DIODES/美台 |
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