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ACE114614B	文件：214.48 Kbytes Page：3 Pages	60V Complementary Enhancement Mode Power MOSFET Description ⚫usedininverter ⚫otherapplications Features N-Channel ⚫VDS=60V ⚫ID=4.4A ⚫RDS(ON)@VGS=10V,TYP37mΩ ⚫RDS(ON)@VGS=4.5V,TYP43mΩ P-Channel ⚫VDS=-60V ⚫ID=-4.2A ⚫RDS(ON)@VGS=-10V,TYP53mΩ ⚫RDS(ON)@VGS=-4.5V,TYP60mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE114614BFM+H	文件：214.48 Kbytes Page：3 Pages	60V Complementary Enhancement Mode Power MOSFET Description ⚫usedininverter ⚫otherapplications Features N-Channel ⚫VDS=60V ⚫ID=4.4A ⚫RDS(ON)@VGS=10V,TYP37mΩ ⚫RDS(ON)@VGS=4.5V,TYP43mΩ P-Channel ⚫VDS=-60V ⚫ID=-4.2A ⚫RDS(ON)@VGS=-10V,TYP53mΩ ⚫RDS(ON)@VGS=-4.5V,TYP60mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE115005BE	文件：216.97 Kbytes Page：3 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET With ESD Protected Description ⚫Batteryprotection ⚫Loadswitching ⚫ESDprotected Features ⚫VDS=20V ⚫ID=10A ⚫RDS(ON)1@VGS=4.5V,TYP10.1mΩ ⚫RDS(ON)2@VGS=4.0V,TYP10.4mΩ ⚫RDS(ON)1@VGS=3.8V,TYP10.6mΩ ⚫RDS(ON)2@VGS=3.1V,TYP11.3mΩ ⚫RDS(ON)2@VGS=2.5V,TYP12.5mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE115005BEPD+H	文件：216.97 Kbytes Page：3 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET With ESD Protected Description ⚫Batteryprotection ⚫Loadswitching ⚫ESDprotected Features ⚫VDS=20V ⚫ID=10A ⚫RDS(ON)1@VGS=4.5V,TYP10.1mΩ ⚫RDS(ON)2@VGS=4.0V,TYP10.4mΩ ⚫RDS(ON)1@VGS=3.8V,TYP10.6mΩ ⚫RDS(ON)2@VGS=3.1V,TYP11.3mΩ ⚫RDS(ON)2@VGS=2.5V,TYP12.5mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE11545B	文件：206.69 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription ⚫loadswitch ⚫othergeneralapplications Features ⚫VDS=-20V,ID=-7A ⚫RDS(ON)@VGS=-4.5V,TYP=29mΩ ⚫RDS(ON)@VGS=-2.5V,TYP=34mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE11545BBM+H	文件：206.69 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription ⚫loadswitch ⚫othergeneralapplications Features ⚫VDS=-20V,ID=-7A ⚫RDS(ON)@VGS=-4.5V,TYP=29mΩ ⚫RDS(ON)@VGS=-2.5V,TYP=34mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE11560LA	文件：233.11 Kbytes Page：3 Pages	60V N-Channel Power MOSFET Description TheACE11560LAusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. Features ⚫VDS=60V,ID=50A ⚫RDS(ON)	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE11560LAYM+H	文件：233.11 Kbytes Page：3 Pages	60V N-Channel Power MOSFET Description TheACE11560LAusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. Features ⚫VDS=60V,ID=50A ⚫RDS(ON)	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE11560LAZM+H	文件：233.11 Kbytes Page：3 Pages	60V N-Channel Power MOSFET Description TheACE11560LAusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. Features ⚫VDS=60V,ID=50A ⚫RDS(ON)	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE11701B	文件：184.23 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ⚫PowerManagement Features ⚫VDS=-20V ⚫ID=-3.8A ⚫RDS(ON)@VGS=-4.5V,TYP41mΩ ⚫RDS(ON)@VGS=-2.5V,TYP55mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE

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详细参数

型号：
ACE
功能描述：
KIT DEV ACE ICD-S40/PCW
RoHS：
否
类别：
编程器，开发系统 >> 通用嵌入式开发板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等）
系列：
ACE
标准包装：
1
系列：
PICDEM™
类型：
MCU
适用于相关产品：
PIC10F206，PIC16F690，PIC16F819
所含物品：
板，线缆，元件，CD，PICkit 编程器
产品目录页面：
659(CN2011-ZH PDF)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ACE供应商更新时间2025-7-25 9:01:00

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