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ASRD703B	文件：23.93 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPACKAGESTEPRECOVERYDIODE DESCRIPTION: TheASRD700SeriesofStepRecoveryDiodesareDesignedforGeneralPurposeVCOandSamplerApplications. FEATURESINCLUDE: •TransitionTimeasLowas70pS •HermeticGlassPackage	ASI Advanced Semiconductor	ASI
ASRD703T	文件：23.93 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPACKAGESTEPRECOVERYDIODE DESCRIPTION: TheASRD700SeriesofStepRecoveryDiodesareDesignedforGeneralPurposeVCOandSamplerApplications. FEATURESINCLUDE: •TransitionTimeasLowas70pS •HermeticGlassPackage	ASI Advanced Semiconductor	ASI
B703	文件：148.15 Kbytes Page：2 Pages	XDSLSPLITTERFILTERMODULE	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
BIC703C	文件：173.98 Kbytes Page：13 Pages	BiasControlledMonolithicICVHF/UHFRFAmplifier Features •BiasControlledMonolithicIC(NoexternalDCbiasingvoltageongate1.);Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •High\|yfs\|;\|yfs\|=29mStyp.(f=1kHz) •Lownoise;NF=1.0dBtyp.(atf=200MHz),NF=1.8dBtyp.(atf=900MHz) •WithstandingtoESD;Buildin	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BIC703M	文件：173.92 Kbytes Page：13 Pages	BiasControlledMonolithicICVHF/UHFRFAmplifier Features •BiasControlledMonolithicIC(NoexternalDCbiasingvoltageongate1.);Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •High\|yfs\|;\|yfs\|=29mStyp.(f=1kHz) •Lownoise;NF=1.0dBtyp.(atf=200MHz),NF=1.8dBtyp.(atf=900MHz) •WithstandingtoESD;Buildin	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
CEB703AL	文件：516.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●30V,40A,RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandingcapability. ●Leadfreeproductisacquired. ●TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB703AL	文件：382.5 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED703AL	文件：380.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,40A,RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=32mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP703AL	文件：516.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●30V,40A,RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandingcapability. ●Leadfreeproductisacquired. ●TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU703AL	文件：380.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,40A,RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=32mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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