71V67803中文资料3.3V 512K x 18 Synchronous 3.3V I/O PipeLined SRAM数据手册Renesas规格书
71V67803规格书详情
描述 Description
The 71V67803 3.3V CMOS SRAM is organized as 512K x 18. The 71V67803 SRAM contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.
特性 Features
High system speed 166MHz (3.5ns clock access time)LBO input selects interleaved or linear burst modeSelf-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)3.3V core power supplyPower down controlled by ZZ input3.3V I/O supply (VDDQ)Available in 100-pin TQFP, 119-pin BGA and 165 fpBGA packages
技术参数
- 产品编号：
71V67803S133BG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，SDR
- 存储容量：
9Mb（512K x 18）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
119-BGA
- 供应商器件封装：
119-PBGA（14x22）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
25+ |
BGA |
3200 |
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询价 | ||
IDT, |
25+ |
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Renesas Electronics America In |
25+ |
100-LQFP |
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IDT |
原厂封装 |
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IDT |
0414+ |
100-LQF |
1000 |
原装正品 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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