71V67703数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
71V67703规格书详情
描述 Description
The 71V67703 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K x 36. The 71V67703 SRAM contains write, data, address and control registers. There are no registers in the data output path (flow-through architecture). The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.
特性 Features
Fast access times 7.5ns up to 117MHz clock frequencyLBO input selects interleaved or linear burst modeSelf-timed write cycle with global write control (GW), byte writeenable (BWE), and byte writes (BWx)3.3V core power supplyPower down controlled by ZZ input3.3V I/O supply (VDDQ)Available in 100-pin TQFP, 119-pin BGA and 165 fpBGA packages
技术参数
- 产品编号：
71V67703S75BG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，SDR
- 存储容量：
9Mb（256K x 36）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
119-BGA
- 供应商器件封装：
119-PBGA（14x22）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT, Integrated Device Technol |
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