71V424中文资料3.3V 512K x 8 Asynchronous Static RAM Center Pwr & Gnd Pinout数据手册Renesas规格书
| 厂商型号 |
71V424 |
| 参数属性 | 71V424 封装/外壳为44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
| 功能描述 | 3.3V 512K x 8 Asynchronous Static RAM Center Pwr & Gnd Pinout |
| 封装外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名称 | 瑞萨 瑞萨科技有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-30 17:00:00 |
| 人工找货 | 71V424价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
71V424规格书详情
描述 Description
The 71V4243.3V CMOS SRAM is organized as 512K x 8. All bidirectional inputs and outputs of the 71V424 are TTL-compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refresh for operation.
特性 Features
JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise
Equal access and cycle times
— Commercial and Industrial: 10/12/15ns
Single 3.3V power supply
One Chip Select plus one Output Enable pin
Bidirectional data inputs and outputs directly
TTL-compatible
Low power consumption via chip deselect
Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ and 44-pin, 400 mil TSOP packages
技术参数
- 制造商编号
：71V424
- 生产厂家
：Renesas
- Density (Kb)
：4096
- Bus Width (bits)
：8
- Core Voltage (V)
：3.3
- Pkg. Type
：TSOP
- Organization
：512K x 8
- I/O Voltage (V)
：3.3
- Access Time (ns)
：10
- Temp. Range
：-40 to 85°C
- Architecture
：Asynchronous
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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