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65S	文件：532.88 Kbytes Page：18 Pages	型号：MIC5365-3.3YC5；Package：SC-70-5；High-Performance Single 150mA LDO GeneralDescription TheMIC5365/6isanadvancedgeneralpurposelinearregulatorofferinghighpowersupplyrejection(PSRR)inanultra-small1mmx1mmpackage.TheMIC5366includesanauto-dischargefeaturethatisactivatedwhentheenablepinislow.TheMIC5365/6iscapableofsourcing150m	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
65S1K0CE	文件：996.4 Kbytes Page：15 Pages	型号：IPA65R1K0CE；Package：PG-TO220FullPAK；650V CoolMOS??CE Power Transistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse/drive •Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforstandardgradeapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
65S650CE	文件：1.00966 Mbytes Page：14 Pages	型号：IPAN65R650CE；Package：PG-TO220FullPAK；650V CoolMOS CE Power Transistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse/drive •Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforstandardgradeapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
65SPD	文件：252.91 Kbytes Page：9 Pages	型号：AFGY100T65SPD；Package：TO-247-3LD；Field Stop Trench IGBT with Soft Fast Recovery Diode 100A, 650V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
65SPD	文件：254.26 Kbytes Page：9 Pages	型号：AFGY120T65SPD；Package：TO-247-3LD；Field Stop Trench IGBT with Soft Fast Recovery Diode 120A, 650V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
65S
功能描述：
低压差稳压器 - LDO Ultra Small Single 150mA LDO in SC-70
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
最大输入电压：
36 V
输出电压：
1.4 V to 20.5 V
回动电压（最大值）：
307 mV
输出电流：
1 A
负载调节：
0.3 %
输出类型：
Fixed
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-20

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更多65S供应商更新时间2025-7-29 16:33:00

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