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IPA65R1K0CE	文件：996.4 Kbytes Page：15 Pages	丝印：65S1K0CE；Package：PG-TO220FullPAK；650V CoolMOS??CE Power Transistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse/drive •Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforstandardgradeapplications 文件：996.4 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPA65R1K0CE	文件：261.11 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：261.11 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPA65R1K0CE	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET CoolMOS™CE适用于硬开关应用和软开关应用，作为现代超结，它可以提供低导通和低开关损耗，进而提高效率并最终降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS™CE 结合了最佳的 RDS （on）和封装，适用于手机和平板电脑的低功耗充电器。 • 典型 R DS （on）和最大 R DS (on) 之间的边距较窄\n• 减少了储存在输出电容中的能量 (Eoss)\n• 体二极管稳健性良好，反向恢复电荷（Q rr）较低\n• 经过优化的集成 Rg\n\n优势:\n• 低通态损耗\n• 低开关损耗\n• 兼适于硬开关和软开关\n• 易掌控的转换行为\n• 提高效率，进而降低功耗\n• 减轻设计工作量\n• 使用简便;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD65R1K0CE	文件：336.2 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD65R1K0CE	文件：969.47 Kbytes Page：14 Pages	650V CoolMOS짧 CE Power Transistor 文件：969.47 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPS65R1K0CE	文件：1.16474 Mbytes Page：14 Pages	650V CoolMOS짧 CE Power Transistor 文件：1.16474 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IPA65R1K0CEXKSA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO220-3
VDS max：
650 V
RDS (on) @10V max：
1000 mΩ
ID @25°C max：
7.2 A
QG typ @10V：
15.3 nC
Special Features：
price/performance
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
2.5 V
VGS(th) max：
3.5 V
Technology：
CoolMOS™ CE

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更多IPA65R1K0CE供应商更新时间2025-12-13 16:12:00

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