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AFGY100T65SPD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

AFGY100T65SPD
厂商型号

AFGY100T65SPD

参数属性

AFGY100T65SPD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

功能描述

Field Stop Trench IGBT with Soft Fast Recovery Diode 100A, 650V
IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

丝印标识

65SPD

封装外壳

TO-247-3LD / TO-247-3

文件大小

252.91 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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AFGY100T65SPD规格书详情

AFGY100T65SPD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体公司制造生产的AFGY100T65SPD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    AFGY100T65SPD

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.05V @ 15V,100A

  • 开关能量:

    5.1mJ(开),2.7mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    36ns/78ns

  • 测试条件:

    400V,100A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-247
928
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
ON Semiconductor
23+
SMD
145
全新原装假一赔十
询价
ON
24+
TO-247-3
25000
ON全系列可订货
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ON(安森美)
23+
TO-247-3L
12298
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2
原装现货,实单价格可谈
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ON/
24+
NA
8000
原装,正品
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TE/泰科
2508+
/
470984
一级代理,原装现货
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ONSEMI
22
SOP12
1599000
全新、原装
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