IPA60R180C7芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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IPA60R180C7	文件：1.14682 Mbytes Page：15 Pages	丝印：60C7180；Package：PG-TO220；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandhighperformanceLLC) •IncreasedMOSFETdv/dtruggednessto120V/ns •IncreasedefficiencyduetobestinclassFOMRDS(on)EossandRDS(on)Qg •BestinclassRDS(on)/package •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22) 文件：1.14682 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB60R180C7	文件：1.21793 Mbytes Page：14 Pages	丝印：60C7180；Package：PG-TO263；600V CoolMOS짧 C7 Power Transistor 文件：1.21793 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
60C7180	文件：1.14682 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandhighperformanceLLC) •IncreasedMOSFETdv/dtruggednessto120V/ns •IncreasedefficiencyduetobestinclassFOMRDS(on)EossandRDS(on)Qg •BestinclassRDS(on)/package •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22) 文件：1.14682 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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