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IXRH50N60	文件：46.75 Kbytes Page：2 Pages	IGBTwithReverseBlockingcapability Features ●IGBTwithNPT(nonpunchthrough)structure ●reverseblockingcapabilityindependentfromgatevoltage -functionofseriesdiodemonolithicallyintegrated -noexternalseriesdioderequired -softreverserecovery ●positivetemperaturecoefficientofsaturationvolta	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH50N60B	文件：75.21 Kbytes Page：4 Pages	ShortCircuitSOACapability IGBTHighSpeed ShortCircuitSOACapability Features •Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD,andTO-247SMDforsurfacemount •GuaranteedShortCircuitSOAcapability •HighfrequencyIGBT •LatestgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconducti	IXYS IXYS Corporation	IXYS
KGF50N60KDA	文件：1.55858 Mbytes Page：8 Pages	KECFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergyefficiencyandshortcircuitruggedness.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT50N60KDA	文件：576.12 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
NGTB50N60FLWG	文件：187.89 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB50N60FWG	文件：183.8 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB50N60SWG	文件：142.62 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTG50N60FLWG	文件：170.49 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTG50N60FWG	文件：176.19 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PJM50N60TE	文件：2.3539 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI

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更多50N60L-TND-T供应商更新时间2025-7-23 11:10:00

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