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50C02SP	文件：32.74 Kbytes Page：4 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance). RCE(sat) typ=175mΩ [IC=0.5A, IB=50mA]. • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products. • Small ON-resistance (Ron). Ap 文件：32.74 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
50C02SS	文件：44.16 Kbytes Page：4 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance). RCE(sat) typ=175mΩ [IC=0.5A, IB=50mA]. • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products. • Small ON-resistance (Ron). Ap 文件：44.16 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
50C02SS	文件：515.6 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor 50V, 0.4A, Low VCE(sat) NPN Single SSFP Bipolar Transistor 50V, 0.4A, Low VCE(sat) NPN Single SSFP Features • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) : RCE(sat) typ=175mΩ[IC=0.5A, IB=50mA] • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products • Small ON-resistance (Ron) Applica 文件：515.6 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
50C02SS-TL-E	文件：515.6 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor 50V, 0.4A, Low VCE(sat) NPN Single SSFP Bipolar Transistor 50V, 0.4A, Low VCE(sat) NPN Single SSFP Features • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) : RCE(sat) typ=175mΩ[IC=0.5A, IB=50mA] • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products • Small ON-resistance (Ron) Applica 文件：515.6 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
50C02S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pico-TR Series	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
50C02SS	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管，50V，0.4A，低饱和压，NPN 单 SSFP 50C02SS is Bipolar Transistor, 50V, 0.4A, Low VCE(sat), NPN Single SSFP for Low-Frequency General-Purpose Amplifi er Applications. • Large current capacity\n• Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) : RCE(sat) typ=175mΩ [IC=0.5A, IB=50mA]\n• Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products\n• Small ON-resistance (Ron);	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
50C02SP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
50C02SS-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-81；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.4A 3SSFP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.1
IC Cont. (A)：
0.4
VCEO Min (V)：
50
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.9
hFE Min：
300
hFE Max：
800
fT Min (MHz)：
500
PTM Max (W)：
0.2
Package Type：
SOT-623/SSFP

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