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50C02SP	文件：32.74 Kbytes Page：4 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance). RCE(sat) typ=175mΩ [IC=0.5A, IB=50mA]. • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products. • Small ON-resistance (Ron). Ap 文件：32.74 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
50C02SP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
50C02SS	文件：44.16 Kbytes Page：4 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance). RCE(sat) typ=175mΩ [IC=0.5A, IB=50mA]. • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products. • Small ON-resistance (Ron). Ap 文件：44.16 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
50C02SS	文件：515.6 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor 50V, 0.4A, Low VCE(sat) NPN Single SSFP Bipolar Transistor 50V, 0.4A, Low VCE(sat) NPN Single SSFP Features • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) : RCE(sat) typ=175mΩ[IC=0.5A, IB=50mA] • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products • Small ON-resistance (Ron) Applica 文件：515.6 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
50C02SS-TL-E	文件：515.6 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor 50V, 0.4A, Low VCE(sat) NPN Single SSFP Bipolar Transistor 50V, 0.4A, Low VCE(sat) NPN Single SSFP Features • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) : RCE(sat) typ=175mΩ[IC=0.5A, IB=50mA] • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products • Small ON-resistance (Ron) Applica 文件：515.6 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
50C02SP
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

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