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AO4435	文件：687.18 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Description Theusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-30VID=-12A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
AO4435A	文件：2.88112 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES @Vos=-30Vio=-9A @Ros(on=20m@Ves=10V @Ros(on=35mO@Ves=4.5V	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
AO4435-HF	文件：1.84015 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-10.5A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AP4435D	文件：69.93 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4435GH-HF	文件：109 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4435GH-HF	文件：106.2 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,LowerOn-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4435GJ	文件：971.1 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP4435GJ-HF	文件：106.19 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,LowerOn-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4435GJ-HF	文件：109 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4435GM	文件：202.58 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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