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CEM4435A

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-8A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=33mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

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更多4435D供应商 更新时间2025-7-28 15:59:00