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3SK296	文件：50.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF RF amplifier 文件：50.64 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
3SK296	文件：190.02 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF RF amplifier 文件：190.02 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
3SK296	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors>Amplifiers/MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
3SK296ZQ-TL-E	文件：190.02 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features • Low noise figure. NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz • Capable of low voltage operation Application UHF RF amplifier 文件：190.02 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更多3SK296供应商更新时间2026-1-18 9:03:00