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3SK324UG	文件：85.6 Kbytes Page：8 Pages	Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier Features •Lownoisecharacteristics;NF=1.0dBtyp.(atf=900MHz) •Highgaincharacteristics;PG=24dBtyp.(atf=900MHz) •Capablelowvoltageoperation;+B=3.5V •HighEnduranceVoltage;VDS=6V	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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3SK324	文件：85.6 Kbytes Page：8 Pages	SiNchDualGateMOSFETUHFRFLOWNOISEAmplifier Features •Lownoisecharacteristics;NF=1.0dBtyp.(atf=900MHz) •Highgaincharacteristics;PG=24dBtyp.(atf=900MHz) •Capablelowvoltageoperation;+B=3.5V •HighEnduranceVoltage;VDS=6V	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier

Features •Lownoisecharacteristics;NF=1.0dBtyp.(atf=900MHz) •Highgaincharacteristics;PG=24dBtyp.(atf=900MHz) •Capablelowvoltageoperation;+B=3.5V •HighEnduranceVoltage;VDS=6V

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Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier

Features •Lownoisecharacteristics;NF=1.0dBtyp.(atf=900MHz) •Highgaincharacteristics;PG=24dBtyp.(atf=900MHz) •Capablelowvoltageoperation;+B=3.5V •HighEnduranceVoltage;VDS=6V

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SiNchDualGateMOSFETUHFRFLOWNOISEAmplifier

Features •Lownoisecharacteristics;NF=1.0dBtyp.(atf=900MHz) •Highgaincharacteristics;PG=24dBtyp.(atf=900MHz) •Capablelowvoltageoperation;+B=3.5V •HighEnduranceVoltage;VDS=6V

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详细参数

型号：
3SK324UG
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多3SK324UG供应商更新时间2024-4-26 14:33:00

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