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3SK318YB-TL-E	文件：183.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier Features • Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) • Excellent cross modulation characteristics • Capable low voltage operation; +B= 5V 文件：183.21 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
3SK318YB-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-82A，SOT-343；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：TRANS N-CH CMPAK-4	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
3SK318	文件：183.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier Features • Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) • Excellent cross modulation characteristics • Capable low voltage operation; +B= 5V 文件：183.21 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
3SK318	文件：54.48 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier Features • Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) • Excellent cross modulation characteristics • Capable low voltage operation; +B= 5V 文件：54.48 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

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