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3SK322	文件：90.15 Kbytes Page：12 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features · Low noise figure. NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz · Capable of low voltage operation · Provide mini mold packages; MPAK-4R(SOT-143 var.) Application UHF / VHF RF amplifier 文件：90.15 Kbytes 页数：12 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
3SK322	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET · Low noise figure.\n NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz\n· Capable of low voltage operation\n· Provide mini mold packages; MPAK-4R(SOT-143 var.)Application\nUHF / VHF RF amplifier\n ;	HITACHI 日立	HITACHI

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深圳市博中泰实业有限公司	3SK323UG-TL-E	RENESAS/瑞萨	24+	SOT143	60000		询价
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更多3SK322供应商更新时间2026-1-18 14:14:00