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3SK319	文件：49.87 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier Features •Lownoisecharacteristics; (NF=1.4dBtyp.atf=900MHz) •Excellentcrossmodulationcharacteristics •Capablelowvoltageoperation;+B=5V	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
3SK319	文件：100.46 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier Features •Lownoisecharacteristics; (NF=1.4dBtyp.atf=900MHz) •Excellentcrossmodulationcharacteristics •Capablelowvoltageoperation;+B=5V	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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3SK319

文件：49.87 Kbytes

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Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier

Features •Lownoisecharacteristics; (NF=1.4dBtyp.atf=900MHz) •Excellentcrossmodulationcharacteristics •Capablelowvoltageoperation;+B=5V

HitachiHitachi, Ltd.

日立公司

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Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier

Features •Lownoisecharacteristics; (NF=1.4dBtyp.atf=900MHz) •Excellentcrossmodulationcharacteristics •Capablelowvoltageoperation;+B=5V

RENESASRenesas Electronics America

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Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier

Features •Lownoisecharacteristics; (NF=1.4dBtyp.atf=900MHz) •Excellentcrossmodulationcharacteristics •Capablelowvoltageoperation;+B=5V

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