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3SK290	文件：90.75 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features • Low noise figure. NF = 2.3 dB Typ. at f = 900 MHz • High gain. PG = 19.3 dB Typ. at f = 900 MHz Application UHF RF amplifier 文件：90.75 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
3SK290	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET	HITACHI 日立	HITACHI

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更多3SK290供应商更新时间2026-4-21 9:04:00