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35HF60WDI	文件：1.05555 Mbytes Page：15 Pages	型号：STGWA35HF60WDI；Package：TO-247；35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode Description ThisultrafastIGBTisdevelopedusinganew planartechnologytoyieldadevicewithtighter switchingenergyvariation(Eoff)versus temperature.ThesuffixWdenotesasubsetof productsdesignedforhighswitchingfrequency operation(over100kHz). Features ■ImprovedEo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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型号：STGWA35HF60WDI；Package：TO-247；35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

Description ThisultrafastIGBTisdevelopedusinganew planartechnologytoyieldadevicewithtighter switchingenergyvariation(Eoff)versus temperature.ThesuffixWdenotesasubsetof productsdesignedforhighswitchingfrequency operation(over100kHz). Features ■ImprovedEo

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
35HF60WDI
功能描述：
IGBT 晶体管 35 A 600V ultra fast IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多35HF60WDI供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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