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35N06	文件：781.59 Kbytes Page：8 Pages	型号：35N06；Package：TO-252；60V N-Channel Power Mosfet Features VDS=60V,ID=35A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V FastSwitching LowONResistance(Rdson≤29mΩ) LowGateCharge LowReversetransfercapacitances 100SinglePulseavalancheenergyTest	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司
35N06	文件：733.36 Kbytes Page：8 Pages	型号：35N06；Package：TO-252；60V N-Channel Power Mosfet GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowermosfetsused advancedtrenchtechnologydesign,providedexcellentRdson andlowgatecharge.WhichaccordswiththeRoHSstandard. Features VDS=60V,ID=35A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V FastSwit	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体

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型号：35N06；Package：TO-252；60V N-Channel Power Mosfet

Features VDS=60V,ID=35A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V FastSwitching LowONResistance(Rdson≤29mΩ) LowGateCharge LowReversetransfercapacitances 100SinglePulseavalancheenergyTest

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

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型号：35N06；Package：TO-252；60V N-Channel Power Mosfet

GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowermosfetsused advancedtrenchtechnologydesign,providedexcellentRdson andlowgatecharge.WhichaccordswiththeRoHSstandard. Features VDS=60V,ID=35A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V FastSwit

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更多35N06供应商更新时间2025-8-1 14:13:00

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