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35N60C3	文件：724.64 Kbytes Page：11 Pages	型号：SPW35N60C3；Package：PG-TO247；CoolMOSTM Power Transistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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35N60C3

文件：724.64 Kbytes

Page：11 Pages

型号：SPW35N60C3；Package：PG-TO247；CoolMOSTM Power Transistor

Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC)fortargetapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

详细参数

型号：
35N60C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX PWR 650V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多35N60C3供应商更新时间2025-7-31 16:02:00

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