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35N65G2VAG	文件：243.64 Kbytes Page：12 Pages	型号：SCTWA35N65G2VAG；Package：HiP247；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package Features •AEC-Q101qualified •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Lowcapacitance Applications •Switchingmodepowersupply •EVchargers •DC-DCconverters Description ThissiliconcarbidePowerMOSFETdevicehasbeendevelopedusingST’s advancedandinnovative2ndgener	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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型号：SCTWA35N65G2VAG；Package：HiP247；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package

Features •AEC-Q101qualified •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Lowcapacitance Applications •Switchingmodepowersupply •EVchargers •DC-DCconverters Description ThissiliconcarbidePowerMOSFETdevicehasbeendevelopedusingST’s advancedandinnovative2ndgener

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更多35N65G2VAG供应商更新时间2025-8-4 16:12:00

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