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SCTWA35N65G2VAG中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
SCTWA35N65G2VAG |
| 功能描述 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package |
| 文件大小 |
243.64 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体（ST）集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-31 17:31:00 |
SCTWA35N65G2VAG规格书详情
Features
• AEC-Q101 qualified
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitance
Applications
• Switching mode power supply
• EV chargers
• DC-DC converters
Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance. The variation of switching loss is almost independent of junction
temperature.
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
23+ |
HiP-247-3 |
3652 |
原厂正品现货供应SIC全系列 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
20+ |
TO-247-LongLeads |
600 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
12820 |
公司只做原装,诚信经营 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8800 |
公司只做原装正品 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
HiP-247-3 |
36900 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
24+ |
TO-247 长引线 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
16900 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
询价 |
