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35SN06 FAE35SN06	文件：1.3339 Mbytes Page：5 Pages	Package：DFNWB3X3-8L；Plastic-Encapsulate MOSFETS DESCRIPTION DS(ON) TheFAE35SN06usesSGTtechnologyanddesigntoprovideexcellentRwithlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. FEATURES HighdensitycelldesignforultralowRDS(ON) Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent Goodstabilityand	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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更多35SN06供应商更新时间2025-7-27 16:20:00

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