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FAE35SN06

Marking:35SN06;Package:DFNWB3X3-8L;Plastic-Encapsulate MOSFETS

DESCRIPTION DS(ON) TheFAE35SN06usesSGTtechnologyanddesigntoprovideexcellentRwithlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. FEATURES HighdensitycelldesignforultralowRDS(ON) Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent Goodstabilityand

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

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更多FAE35SN06供应商 更新时间2025-7-26 16:31:00