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FAE35SN06	文件：1.3339 Mbytes Page：5 Pages	丝印：35SN06；Package：DFNWB3X3-8L；Plastic-Encapsulate MOSFETS DESCRIPTION DS(ON) The FAE35SN06 uses SGT technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURES  High density cell design for ultra low RDS(ON)  Fully characterized avalanche voltage and current  Good stability and 文件：1.3339 Mbytes 页数：5 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
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更多FAE35SN06供应商更新时间2026-1-17 16:31:00

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