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STW35N60DM2	文件：704.98 Kbytes Page：12 Pages	丝印：35N60DM2；Package：TO-247；Extremely high dv/dt ruggedness Description This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologi 文件：704.98 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更多35N60DM2供应商更新时间2026-1-19 14:14:00