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LM3400	文件：1.28239 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3400；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
RM3400	文件：163.04 Kbytes Page：7 Pages	Marking：3400；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
YJL3400A	文件：580.21 Kbytes Page：6 Pages	Marking：3400；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
3400L	文件：1.62324 Mbytes Page：6 Pages	Marking：3400L；Package：SOT-23-3L；PWM applications Description The3400Lusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. Application PWMapplications Loadswitch Power	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
NCE3400E	文件：243.55 Kbytes Page：7 Pages	Marking：3400E；Package：SOT-23；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE3400Eusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.ItisESD protested. GeneralFeatures ●VDS=30	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3400X	文件：303.47 Kbytes Page：7 Pages	Marking：3400X；Package：SOT-23；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE3400Xusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=5.1A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3400XY	文件：283.15 Kbytes Page：7 Pages	Marking：3400XY；Package：SOT23-3L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE3400XYusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=5.1A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
RM3400A	文件：876.19 Kbytes Page：7 Pages	Marking：3400A；Package：SOT-23-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GeneralFeatures VDS=30V,ID=5.8A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
3400L	文件：1.53917 Mbytes Page：6 Pages	Marking：3400L；Package：SOT-23-3L；The 3400L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON)	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
LMQ3400A	文件：1.10968 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3400A；Package：DFN2020-6L；N-ChannelEnhancement Mode Power MOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

产品属性

产品编号：
3400
制造商：
Keystone Electronics
类别：
原型开发，制造品 > 有孔原型板
包装：
散装
原型板类型：
模拟板，预穿孔绝缘
镀层：
无镀层通孔（NPTH）
间距：
0.100"（2.54mm）
孔径：
0.042"（1.07mm）
大小 / 尺寸：
6.00" 长 x 4.50" 宽（152.4mm x 114.3mm）
板厚度：
0.062"（1.57mm）1/16"
描述：
BREADBRD PREPUNCHED INSULAT NPTH

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更多3400供应商更新时间2025-6-26 16:08:00

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