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2SK3109-S	文件：77.11 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The2SK3109isN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,anddesignedforhighvoltageapplicationssuchasDC/DCconverter. FEATURES •Gatevoltagerating±30V •Lowon-stateresistanceRDS(on)=0.4ΩMAX.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3109-S	文件：409.95 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3109isN-channelMOSFETdevicethat featuresalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,anddesignedforhighvoltage applicationssuchasDC/DCconverter. FEATURES •Gatevoltagerating±30V •Lowon-stat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3109-S	文件：326.38 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3109	文件：77.11 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3109isN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,anddesignedforhighvoltageapplicationssuchasDC/DCconverter. FEATURES •Gatevoltagerating±30V •Lowon-stateresistanceRDS(on)=0.4ΩMAX.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3109	文件：46.13 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features Gatevoltagerating30V Lowon-stateresistance RDS(on)=0.4MAX.(VGS=10V,ID=5.0A) Lowinputcapacitance Ciss=400pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) Avalanchecapabilityrated Built-ingateprotectiondiode Surfacemountdeviceavailable	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3109	文件：332.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3109	文件：409.95 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3109isN-channelMOSFETdevicethat featuresalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,anddesignedforhighvoltage applicationssuchasDC/DCconverter. FEATURES •Gatevoltagerating±30V •Lowon-stat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3109-AZ	文件：400.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3109-ZJ	文件：400.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3109-ZJ	文件：77.11 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3109isN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,anddesignedforhighvoltageapplicationssuchasDC/DCconverter. FEATURES •Gatevoltagerating±30V •Lowon-stateresistanceRDS(on)=0.4ΩMAX.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3109-ZJ	文件：409.95 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3109isN-channelMOSFETdevicethat featuresalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,anddesignedforhighvoltage applicationssuchasDC/DCconverter. FEATURES •Gatevoltagerating±30V •Lowon-stat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
2SK3109-S
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	2SK3109-S	NEC	08+(pbfree)	TO-262	8866		询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	2SK3109-S	NEC	23+	T0-262	35890		询价
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深圳市创新迹电子有限公司	2SK3109-S	NEC	22+	TO-262	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
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更多2SK3109-S供应商更新时间2024-5-1 14:30:00

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