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2SK2930	文件：53.14 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS=0.020 Ωtyp. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：53.14 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2930	文件：87.82 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS=0.020 Ωtyp. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：87.82 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2930-E	文件：87.82 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS=0.020 Ωtyp. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：87.82 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2931	文件：52.59 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.010 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：52.59 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2931	文件：87.62 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.010 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：87.62 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2931-E	文件：87.62 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.010 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：87.62 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2932	文件：87.3 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.055 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：87.3 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2932	文件：50.8 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.055 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：50.8 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2932-E	文件：87.3 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.055 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：87.3 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2933	文件：87.83 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.040Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：87.83 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
LDPAK(S)-(1)/TO-263
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
60
ID (A)：
35
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
50
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
26
Ciss (pF) 典型值：
1100
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
50
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿智腾科技有限公司	2SK2939	日立	24+	TO-262/263	6430	原装现货/欢迎来电咨询	询价
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更多2SK293供应商更新时间2026-3-11 13:36:00

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