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2SK2931	文件：52.59 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.010 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：52.59 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK2931	文件：87.62 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.010 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：87.62 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2931	文件：333.26 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：333.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2931	文件：1.27355 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.27355 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK2931	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK2931-E	文件：87.62 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.010 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：87.62 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

更多2SK2931供应商更新时间2025-11-19 10:50:00