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2SK1530	文件：372.12 Kbytes Page：4 Pages	High-Power Amplifier Application High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201 文件：372.12 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1530	文件：372.12 Kbytes Page：4 Pages	High-Power Amplifier Application High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201 文件：372.12 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1530	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1530O	文件：372.12 Kbytes Page：4 Pages	High-Power Amplifier Application High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201 文件：372.12 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1530Y	文件：372.13 Kbytes Page：4 Pages	High-Power Amplifier Application High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201 文件：372.13 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1530-Y	文件：372.12 Kbytes Page：4 Pages	High-Power Amplifier Application High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201 文件：372.12 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1530-YF	文件：372.12 Kbytes Page：4 Pages	High-Power Amplifier Application High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201 文件：372.12 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1531	文件：327.28 Kbytes Page：5 Pages	Discrete Semiconductors Toshiba power MOSFET lineup ranges from 60V to 1000V and from 0.5A to 60A 文件：327.28 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1533	文件：99.8 Kbytes Page：2 Pages	HVX Series Power MOSFET HVX Series Power MOSFET 文件：99.8 Kbytes 页数：2 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SK1533	文件：275.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 1A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 900V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 15Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：275.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
120000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±30V
Maximum Drain Source Voltage：
900V
Maximum Continuous Drain Current：
7A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SK15	TOS	24+		15		询价
深圳市弘为电子有限公司	2SK15	TOSHIBA	24+	CAN6	2500	原装现货假一罚十	询价
深圳市昊创电子有限公司	2SK15	TOSHIBA/东芝	专业铁帽	CAN6	2500	原装铁帽专营,代理渠道量大可订货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SK15	TOSHIBA/东芝	专业铁帽	CAN6	67500	铁帽原装主营-可开原型号增税票	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SK15	T/NEC	23+	CAN	9539	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市威雅利发展有限公司	2SK15	TOSHIBA	00+02+	CAN4	2013	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SK15		23+		20000	正品原装货价格低	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SK15	T/NEC	2023+	CAN	50000	全新原装现货	询价
深圳市英科美电子有限公司	2SK15	TOSHIBA/东芝	2223+	CAN4	26800	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	2SK15	TOSHIBA	24+	CAN4	80000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价

更多2SK15供应商更新时间2026-3-10 16:30:00

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