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2SJ319	文件：45.87 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：45.87 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ319	文件：87.25 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter 文件：87.25 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ319	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P-Channel MOS FET • Low on-resistance\n• High speed switching\n• Low drive current\n• No secondary breakdown\n• Suitable for switching regulator, DC-DC converterApplication\nHigh speed power switching ;	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ319L	文件：87.25 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter 文件：87.25 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ319L	文件：45.87 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：45.87 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ319L-E	文件：87.25 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter 文件：87.25 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ319S	文件：45.87 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：45.87 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ319S	文件：87.25 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter 文件：87.25 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ319S	文件：47.09 Kbytes Page：1 Pages	Silicon P-Channel MOSFET Features Low on-state resistance RDS(on)=2.3 (VGS=-10V,ID=-2A) High speed switching 文件：47.09 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ319STL-E	文件：87.25 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter 文件：87.25 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
2SJ319
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Silicon P-Channel MOS FET

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