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2SJ324

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SJ324 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver. FEATURES • Low On-state Resistance RDS(on) = 0.18 Ω TYP. (VGS = −10 V, ID = −1.0 A) RDS(on) = 0.36 Ω TYP. (VGS = −4 V, ID = −0.8 A) • Low Cis

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RENESAS

瑞萨

2SJ324

MOS Field Effect Power Transistors

Features ● Low on-state resistance RDS(on)=0.18 Ω (VGS=-10V,ID=-1A) RDS(on)=0.36 Ω (VGS=-4V,ID=-0.8A) ● Built-in G-S Gate Protection Diode

文件:52.54 Kbytes 页数:2 Pages

KEXIN

科信电子

2SJ324

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

文件:345.37 Kbytes 页数:6 Pages

NEC

瑞萨

2SJ324

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

Renesas

瑞萨

详细参数

  • 型号:

    2SJ324

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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更多2SJ324供应商 更新时间2025-10-4 16:30:00