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2SJ352-E

Silicon P Channel MOS FET

Description Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SK2220, 2SK2221 Features • High power gain • Excellent frequency response • High speed switching • Wide area of safe operation • Enhancement-mode • Good complementary characteristics • Equipped with

文件:70.87 Kbytes 页数:6 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ352

Silicon P Channel MOS FET

Description Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SK2220, 2SK2221 Features • High power gain • Excellent frequency response • High speed switching • Wide area of safe operation • Enhancement-mode • Good complementary characteristics • Equipped with

文件:70.87 Kbytes 页数:6 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ352

Silicon P-Channel MOS FET

Features • High power gain • Excellent frequency response • High speed switching • Wide area of safe operation • Enhancement-mode • Good complementary characteristics • Equipped with gate protection diodes Application Low frequency power amplifier Complementary pair

文件:40.26 Kbytes 页数:8 Pages

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ605-Z-E1

TO263

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

2SJ652-1E

TO-220-3

ON

详细参数

  • 型号:

    2SJ352-E

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SJ352-E供应商 更新时间2025-11-30 14:02:00