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2SJ360	文件：960.04 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ360	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SJ360	文件：748.39 Kbytes Page：6 Pages	ChopperRegulator,DC−DCConverterandMotorDriveApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SJ360	文件：48.21 Kbytes Page：2 Pages	MOSFieldEffectTransistors ■Features ●VDS(V)=-60V ●ID=-1A ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ360	文件：211.15 Kbytes Page：6 Pages	ChopperRegulator,DC−DCConverterandMotorDriveApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SJ360	文件：278.63 Kbytes Page：5 Pages	PCHANNELMOSTYPE(HIGHSPEED,HIGHCURRENTSWITCHING,CHOPPERREGULATOR,DC-DCCONVERTERANDMOTORDRIVEAPPLICATIONS) HighSpeed,HighcurrentSwitchingApplications ChopperRegulator,DC−DCConverterandMotorDriveApplications ●4-Vgatedrive ●Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=0.55Ω(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=0.9S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=−100μA(max)(	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SJ360(F)
功能描述：
MOSFET P-Ch 4-V gate drive RDS 0.55Ohm -60V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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