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2SJ357	文件：292.72 Kbytes Page：10 Pages	丝印：UA1；MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH The 2SJ357 is a P-channel vertical MOS FET that can be used as a switching element. The 2SJ357 can be directly driven by an IC operating at 5 V. The 2SJ357 features a low on-resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for appli 文件：292.72 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ357	文件：64.75 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH 文件：64.75 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SJ357	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ605-Z-E1	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS TO263	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SJ652-1E	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON TO-220-3	ON 上传：深圳市芯峰微电子科技有限公司	ON

技术参数

RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
200
Package Type：
MP-2/SC-84
Ciss (pF) typ.：
645
Nch/Pch：
Pch
Vgs (off) (V) max.：
-2
Number of Channels：
Single
VGSS (V)：
-20/+10
Automotive：
YES
Pch (W)：
2
VDSS (V) max.：
-30
Application：
Low Voltage General Switching
ID (A)：
-3
Mounting Type：
Surface Mount
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
350
QG (nC) typ.：
25.1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	2SJ357	NEC	2019+	SOT-89	78550	原厂渠道可含税出货	询价
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更多2SJ357供应商更新时间2025-10-13 16:04:00

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