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2SD523

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min.) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min.)@IC= 3A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE (sat)= 1.5V(Max.)@ IC= 3A APPLICATIONS • Designed for power switching applications.

文件:216.93 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD596-T1B

SOT89

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

2SD667L-C

TO-92NL

UTC/友顺

2SD669AG-C

SOT-89

UTC/友顺

2SD669AG-C-AB3-R

SOT89 T/R

晶体管资料

  • 型号:

    2SD523

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    7A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDV65A,BDX63,BDX63A,BDX65,FD50B,MJ1000,MJ1001,MJ3000,2N6056,

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍数:

    β>2000

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    7

  • wtest:

    50

详细参数

  • 型号:

    2SD523

  • 制造商:

    Distributed By MCM

  • 功能描述:

    SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 80V 7A 50W BEC

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更多2SD523供应商 更新时间2026-4-17 16:01:00