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2SD600	文件：168.22 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SB631/631K ·HighbreakdownvoltageVCEO100/120V ·Highcurrent1A ·Lowsaturationvoltage APPLICATIONS ·Forlow-frequencypoweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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2SD600	文件：94.99 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 100V/120V,1ALow-FrequencyPowerAmplifierApplications Features ·HighbreakdownvoltageVCEO100/120V,Highcurrent1A. ·Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearity.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2SD600	文件：126.37 Kbytes Page：4 Pages	100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD600	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD600K	文件：94.99 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 100V/120V,1ALow-FrequencyPowerAmplifierApplications Features ·HighbreakdownvoltageVCEO100/120V,Highcurrent1A. ·Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearity.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
2SD600
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amp Applications

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