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2SD600	文件：94.99 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications Features · High breakdown voltage VCEO 100/120V, High current 1A. · Low saturation voltage, excellent hFE linearity. 文件：94.99 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD600	文件：106.11 Kbytes Page：3 Pages	100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amp Applications 1. High breakdown voltage V CEO 100/120V, High current 1A. 2. Low saturation voltage, excellent hFElinearity. 文件：106.11 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD600	文件：201.29 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB631/631K ·High breakdown voltage VCEO100/120V ·High current 1A ·Low saturation voltage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier applications 文件：201.29 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD600	文件：156.6 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB631/631K ·High breakdown voltage VCEO100/120V ·High current 1A ·Low saturation voltage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier applications 文件：156.6 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD600	文件：168.22 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB631/631K ·High breakdown voltage VCEO100/120V ·High current 1A ·Low saturation voltage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier applications 文件：168.22 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD600	文件：126.37 Kbytes Page：4 Pages	100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications 文件：126.37 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD600	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD600K	文件：201.29 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB631/631K ·High breakdown voltage VCEO100/120V ·High current 1A ·Low saturation voltage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier applications 文件：201.29 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD600K	文件：156.6 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB631/631K ·High breakdown voltage VCEO100/120V ·High current 1A ·Low saturation voltage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier applications 文件：156.6 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD600K	文件：106.11 Kbytes Page：3 Pages	100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amp Applications 1. High breakdown voltage V CEO 100/120V, High current 1A. 2. Low saturation voltage, excellent hFElinearity. 文件：106.11 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO

详细参数

型号：
2SD600
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amp Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SD600	飞利蒲	24+	TO-126	5000		询价
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深圳市金芯世纪电子有限公司	2SD600		22+	TO126	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SD600		23+	TO126	24800	正品原装货价格低	询价
深圳市恒创达实业有限公司	2SD600KE	SANYO	17+	TO-126	6200		询价
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上海市鑫鸿达电子	2SD600E	SANYO/三洋	2022+		3350	全新原装货期两周	询价

更多2SD600供应商更新时间2025-12-14 14:30:00

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