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2SD600中文资料NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2SD600

功能描述

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2026-2-1 22:59:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SD600

  • 别名:

    2SD600三极管、2SD600晶体管、2SD600晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    130MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD139,BD230,BD379,2SD1684,3DD153B,

  • 最大耗散功率:

    8W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-21

  • vtest:

    100

  • htest:

    130000000

  • atest:

    1

  • wtest:

    8

技术参数

  • 型号:

    2SD600

  • 制造商:

    SANYO

  • 制造商全称:

    Sanyo Semicon Device

  • 功能描述:

    100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amp Applications

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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