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2SD640	文件：215.25 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V (Min) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V (Max.)@ IC= 5A APPLICATIONS • High voltage switching applications. • High power amplifier applications. 文件：215.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD640	文件：91.43 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSEO TYPE 文件：91.43 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD640	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSEO TYPE	Toshiba 东芝	Toshiba
2SD667L-C	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92NL	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺
2SD669AG-C	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-89	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺

晶体管资料

型号：
2SD640
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
600V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
3MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BC326,BC526,BC626A,BU526,BU536,BU626A,BUX80,2SD1094,3DK308E,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
600
htest：
3000000
atest：
7
wtest：
100

详细参数

型号：
2SD640
功能描述：
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSEO TYPE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD640供应商更新时间2026-4-20 16:30:00

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