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2SD684	文件：299.82 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=300V(Min) ·HighDCCurrentGain-:hFE=1500(Min.)@IC=2A ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=4A APPLICATIONS ·Igniterapplications. ·Highvoltageswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD684	文件：378.73 Kbytes Page：4 Pages	IGNITER APPLICATIONS. HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS. FEATURES: -HighDCCurrentGain :hyg-1500(Min.)(VCE-2V,Ic=2A)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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2SD965AL-R-T92-B	文件：0 bytes Page：0 Pages	UTC TO92	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司相关企业：深圳市华博特电子有限公司	UTC
2SJ162-E	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS TO-3P	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司相关企业：深圳市科雨电子有限公司	RENESAS

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