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isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 160V(Min) ·High Power Dissipation- : PC= 100W(Max)@TC=25℃ ·Complement to Type 2SB655 文件：219.24 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 160V(Min) • High Power Dissipation- : PC= 125W(Max)@TC=25℃ • Complement to Type 2SB656 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：220.52 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：258.089 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
160V
- 最大电流允许值：
12A
- 最大工作频率：
8MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BD745F,2SD424,2SD733,2SD1047,
- 最大耗散功率：
100W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
160
- htest：
8000000
- atest：
12
- wtest：
100
详细参数
- 型号：
2SD67
- 制造商：
ISC
- 制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述：
Silicon NPN Power Transistors
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
询价 | |||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO-3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
FUJITSU/富士通 |
23+ |
TO-3 |
80960 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
23+ |
TO |
20000 |
正品原装货价格低 |
询价 | |||
FUJITSU/富士通 |
24+ |
TO-3 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FUJITSU/富士通 |
2026+ |
TO-3 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
PANASONIC/松下 |
TO-220 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
PANASONIC |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
23+ |
TO-3 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | |||
23+ |
TO-3 |
7000 |
询价 |
