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2SD601A	文件：38.77 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type Silicon NPN epitaxial planar type For general amplification Complementary to 2SB0709A (2SB709A) ■ Features • High foward current transfer ratio hFE • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) • Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through 文件：38.77 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD601A	文件：48.65 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SB0709A (2SB709A) ■ Features • High foward current transfer ratio hFE • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) • Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine 文件：48.65 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD601A	文件：208.72 Kbytes Page：5 Pages	Si NPN DIFFUSED JUNCTION MESA 2SD389, 2SD389A Si NPN Diffused Juction Mesa Medium Power Amplifier. Features ● Large Pc ● Wide area of safe operation (ASO) 2SD601, 2SD601A Si NPN Epitaxial Planar General Amplifier Complementary Pair with 2SB709, 2SB709A Features ● High hFE ● Low VCE(sat) 文件：208.72 Kbytes 页数：5 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD601A	文件：173.19 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES z Mini type package. z Complementary to 2SB709A PNP Transistor. z Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). z High forward current transfer ratio hFE. APPLICATIONS z General purpose amplifier applications. 文件：173.19 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SD601A	文件：309.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 50V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):0.3V(Max) @IC=0.1A APPLICATIONS · Switching Regulators · Converters · Power Amplifiers 文件：309.54 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD601A	文件：174.87 Kbytes Page：1 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistor FEATURES Power dissipation PCM: 0.2 W (TAMB=25℃) Collector current ICM: 0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ,TSTG: -55℃to +150℃ 文件：174.87 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD601A	文件：1.6048 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURE High hFE Low VCE(sat) For general amplification Complementary to 2SB709A 文件：1.6048 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD601A	文件：803.33 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package 文件：803.33 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SD601A	文件：58.7 Kbytes Page：1 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistor 文件：58.7 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD601A	文件：38.05 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planer Type 文件：38.05 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
2SD601A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC846,BCV71,BCV72,2SC3323,2SC3324,
最大耗散功率：
0.25W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
60
htest：
100000000
atest：
0.1
wtest：
0.25

技术参数

PCM(W)：
0.2
IC(A)：
0.1
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
7
hFEMin：
160
hFEMax：
460
hFE@VCE(V)：
10
hFE@IC(A)：
0.002
VCE(sat)(V)：
0.3
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.1
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.01
Package：
SOT-23

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更多2SD601A供应商更新时间2026-4-17 14:00:00

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