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2SD560	文件：90.91 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING The 2SD560 is a mold power transistor developed for lowfrequency power amplifiers and low-speed switching. This transistor is ideal for direct driving from the IC output of devices 文件：90.91 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD560	文件：209.95 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR (5 AMP, 100 VOLT) The 2SD560 is a low cost Darlington array which is perfectly suited for increasing TTL levels to drvie print hammers, solenolds or motors. 文件：209.95 Kbytes 页数：3 Pages	FUJITSU 富士通	FUJITSU
2SD560	文件：242.44 Kbytes Page：8 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING The 2SD560 is a mold power transistor developed for lowfrequency power amplifiers and low-speed switching. This transistor is ideal for direct driving from the IC output of dev 文件：242.44 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD560	文件：141.6 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS)= 100V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 2000(Min) @IC= 3.0A ·Low Saturation Voltage ·Complement to Type 2SB601 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifiers and low speed switching applications 文件：141.6 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD560	文件：102.61 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB601 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Low frequency power amplifier ·Low speed switching industrial use 文件：102.61 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD560	文件：71.14 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Power Ttransistors DESCRIPTION The 2SD560 is a mold power transistor developed for lowfrequency power amplifiers and low-speed switching. This transistor is ideal for direct driving from the IC output of devices such as pulse motor drivers and relay drivers, and PC terminals. 文件：71.14 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
2SD560	文件：6.52519 Mbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：6.52519 Mbytes 页数：3 Pages	KISEMICONDUCTOR	KISEMICONDUCTOR
2SD560	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR (5 AMP/ 100 VOLT)	Fujitsu 富士通	Fujitsu
2SD560	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington NPN 100V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS	NJS
2SD560	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas

晶体管资料

型号：
2SD560
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
开关管（S）_功率放大（L）_低频或音频放大（LF
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
FH6E,2SD830,2SD1128,2SD1169,2SD1590,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β=2000-15000
图片代号：
B-10
vtest：
150
htest：
999900
atest：
5
wtest：
30

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
150
VCEO (V)：
100
Vebo (V)：
7
IC (A) @25 °C：
5
VCE(sat) (V) max.：
1.5
hFE min.：
2000
hFE max.：
15000
Pc (W)：
30
Package Type：
MP-25
Production Status：
EOL

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