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2SD553

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS POWER AMPLIFIER APPLICATIONS Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 0.4V (Max.) (At IC = 4A) Complementary to 2SB553

文件:216.76 Kbytes 页数:4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD553

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB553 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·High current switching applications ·Power amplifier applications

文件:147.75 Kbytes 页数:4 Pages

ISC

无锡固电

2SD553

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB553 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·High current switching applications ·Power amplifier applications

文件:152.8 Kbytes 页数:4 Pages

SAVANTIC

2SD553

TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE. HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS. POWER AMPLIFIER APPLICATIONS

Toshiba

东芝

2SD553

Trans GP BJT NPN 50V 7A 3-Pin(3+Tab) 2-10A1A

NJS

新泽西半导体

晶体管资料

  • 型号:

    2SD553

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    LO.SAT

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    70V

  • 最大电流允许值:

    7A

  • 最大工作频率:

    10MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD243B,BD599,2SC3254,2SD1237L,3DK209E,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-89

  • vtest:

    70

  • htest:

    10000000

  • atest:

    7

  • wtest:

    40

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Material:

    Si

  • Maximum Collector Base Voltage:

    70V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.4@0.4A@4AV

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    50V

  • Maximum DC Collector Current:

    7A

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Power Dissipation:

    1500mW

  • Maximum Transition Frequency:

    10(Typ)MHz

  • Type:

    NPN

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更多2SD553供应商 更新时间2026-4-17 16:19:00