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2SD581

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage:V(BR)CEO=100V(Min.) ·Collector-EmitterSaturationVoltage:VCE(sat)=1.5V(Max.)@IC=5A APPLICATIONS ·Designedfor40~60Waudioamplifierpoweroutputapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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